RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3172
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link