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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Compara
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
66
En -154% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1810
4084
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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