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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
66
Por volta de -154% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
8.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
16.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1810
4084
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
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