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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Puntuación global
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
24
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
1983
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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