RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
1983
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link