RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Compara
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
83
En 72% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
83
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2096
1774
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link