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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
83
Por volta de 72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
83
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
1774
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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