RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Comparar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
56
Por volta de 59% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
56
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
2597
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link