RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
72
104
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
72
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1593
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link