Comparación de la memoria RAM Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Puntuación global

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

72 104

En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.0 2,404.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 6400

En 3 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

786 1593

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns