RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Compara
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
85
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
85
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
1118
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link