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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
40
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2209
2829
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCDT82-MIE 4GB
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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