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Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Puntuación global
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2412
2200
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
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