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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
63
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2728
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
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