RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
63
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2728
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link