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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2282
2946
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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