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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
26
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2890
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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