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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
2756
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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