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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
58
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
3273
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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