RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3273
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link