RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
58
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3273
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link