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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
77
En -185% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3587
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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