RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3587
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link