Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 6.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    23 left arrow 25
    Wokół strony -9% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 23
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 6.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2764 left arrow 2339
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania