RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2339
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link