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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2483
2848
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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