RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2483
2848
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link