RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
65
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
2,027.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
65
Velocidad de lectura, GB/s
4,837.1
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,027.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
794
1921
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link