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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
65
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
2,027.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,837.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,027.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
794
1921
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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