Comparación de la memoria RAM Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Puntuación global

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 13.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,027.0 10.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 52

En -86% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 6400

En 2.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

794 2179

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns