RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
5,021.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
2703
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link