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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
22.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
51
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
2,135.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
31
Velocidad de lectura, GB/s
5,021.4
22.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
20.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
4051
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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