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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
INTENSO M418039 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Puntuación global
INTENSO M418039 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
INTENSO M418039 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
51
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
2,135.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
20
Velocidad de lectura, GB/s
5,021.4
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,135.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
2414
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
INTENSO M418039 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
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