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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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Especificaciones
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3384
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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