RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2516
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link