RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
48
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
48
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
2568
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link