RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3372
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-S6 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link