RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3372
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link