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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3614
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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