RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
30
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
3021
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link