RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
54
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
54
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
1904
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link