RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
54
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
54
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
1904
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link