RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2812
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link