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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
64
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
64
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
2052
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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