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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
64
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
64
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
2052
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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