RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Compara
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Puntuación global
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
58
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
58
Velocidad de lectura, GB/s
14.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2227
1968
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link