RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
58
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
1968
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link