RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
39
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2566
2782
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link