RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2566
2782
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link