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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Compara
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2566
2389
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
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