RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.4
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1453
2256
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link